逆 スパッタ と は. Tetsuji kiyota * key words : 5 (a)入射イオンエネルギーとスパッタ率の関係 を示す。入射イオンエネルギーにはスパッタの起こるし きい値が存在し,その大きさは通常スパッタガスとして 用いられるhg+, ne+, ar+の 入射イオンと金属ターゲ ットについて15ev～30ev程 度である。
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Sputtering, impurity gas, thin film, aluminum film. 5 (a)入射イオンエネルギーとスパッタ率の関係 を示す。入射イオンエネルギーにはスパッタの起こるし きい値が存在し,その大きさは通常スパッタガスとして 用いられるhg+, ne+, ar+の 入射イオンと金属ターゲ ットについて15ev～30ev程 度である。 清 田 哲 司* effects of the gasses in sputtering processes.
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5 (a)入射イオンエネルギーとスパッタ率の関係 を示す。入射イオンエネルギーにはスパッタの起こるし きい値が存在し,その大きさは通常スパッタガスとして 用いられるhg+, ne+, ar+の 入射イオンと金属ターゲ ットについて15ev～30ev程 度である。 清 田 哲 司* effects of the gasses in sputtering processes. スパッタリング現象は、1842 年、grove によって発見されたといわれている。スパッタリング現象の薄膜 作成への利用(スパッタリング法)は1870 年代からすでに行われていたが、実用化され、工業技術で広く使わ れるようになったのは1930 年以降であるとされて. Tetsuji kiyota * key words :
